TK31V60X,LQ

Toshiba(东芝) 分立器件

DFN N-CH 600V 30.8A

N-Channel 600V 30.8A Ta 240W Tc Surface Mount 4-DFN-EP 8x8

得捷:
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN

贸泽:
MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

TK31V60X,LQ中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 240 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 30.8A

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 3000pF @300VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 240W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 DFN-5

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 8 mm

高度 0.85 mm

封装 DFN-5

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TK31V60X,LQ引脚图与封装图

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TK31V60X,LQ	Toshiba 东芝	DFN N-CH 600V 30.8A	搜索库存