TK7A60W5,S5VX

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3Pin TO-220SIS

N-Channel 600V 7A Ta 30W Tc Through Hole TO-220SIS

得捷:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS

贸泽:
MOSFET Power MOSFET N-Channel

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Tube

TK7A60W5,S5VX中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 540 mΩ

耗散功率 30 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 490pF @300VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

TK7A60W5,S5VX引脚图与封装图

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