TPW4R50ANH,L1Q

Toshiba(东芝) 分立器件

TPW4R50ANH,L1Q 编带

N-Channel 100V 92A Tc 800mW Ta, 142W Tc Surface Mount 8-DSOP Advance

得捷:
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP

立创商城:
N沟道 100V 92A

贸泽:
MOSFET N-CH Mosfet 60V N-CH Mosfet 100V

TPW4R50ANH,L1Q中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 142 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 92A

上升时间 9.6 ns

输入电容Ciss 5200pF @50VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 800mW Ta, 142W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DSOP-Advance-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 5 mm

高度 0.73 mm

封装 DSOP-Advance-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TPW4R50ANH,L1Q引脚图与封装图

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