TK58E06N1,S1X

Toshiba(东芝) 分立器件

Mosfet n Ch 60V 58A To-220

通孔 N 通道 60 V 58A（Ta） 110W（Tc） TO-220

得捷:
MOSFET N-CH 60V 58A TO220

贸泽:
MOSFET 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nC

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 58A; 110W; TO220AB

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine

Win Source:
MOSFET N CH 60V 58A TO-220

TK58E06N1,S1X中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 110 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 3400pF @30VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.45 mm

高度 15.1 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TK58E06N1,S1X引脚图与封装图

TK58E06N1,S1X引脚图

TK58E06N1,S1X封装图

TK58E06N1,S1X封装焊盘图

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