TPH1110ENH,L1Q

Toshiba(东芝) 分立器件

8-SOP 高级

表面贴装型 N 通道 7.2A（Ta） 1.6W（Ta），42W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）

得捷:
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP

贸泽:
MOSFET UMOSVIII 200V 131m VGS=10V SOP-ADV

TPH1110ENH,L1Q中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 42 W

漏源极电压Vds 200 V

上升时间 5.2 ns

输入电容Ciss 600pF @100VVds

下降时间 4.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6W Ta, 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOP-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 5 mm

高度 0.95 mm

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

TPH1110ENH,L1Q引脚图与封装图

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