TK39J60W5,S1VQ

Toshiba(东芝) 分立器件

Mosfet n Ch 600V 38.8A To-3pn

通孔 N 通道 600 V 38.8A（Ta） 270W（Tc） TO-3P（N）

得捷:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin3+Tab TO-3PN Bag/Tube

DeviceMart:
MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3PN

Win Source:
MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3PN

TK39J60W5,S1VQ中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 270 W

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 4100pF @300VVds

额定功率Max 270 W

耗散功率Max 270W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

TK39J60W5,S1VQ引脚图与封装图

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