TK14N65W,S1F
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
TK14N65W,S1F中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 220 mΩ
耗散功率 130 W
阈值电压 2.5V ~ 3.5V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 1300pF @300VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 130W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.94 mm
宽度 5.02 mm
高度 20.95 mm
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TK14N65W,S1F引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TK14N65W,S1F | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET N-CH 650V 13.7A 3Pin TO-247 | 搜索库存 |