TK20V60W,LVQ

Toshiba(东芝) 分立器件

DFN N-CH 600V 20A

N-Channel 600V 20A Ta 156W Tc Surface Mount 4-DFN-EP 8x8

得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN

贸泽:
MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 156W 1680pF 20A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN / N-Channel 600 V 20A Ta 156W Tc Surface Mount 4-DFN-EP 8x8

TK20V60W,LVQ中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 170 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 156 W

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 1680pF @300VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 156W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 DFN-5

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 8 mm

高度 0.85 mm

封装 DFN-5

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TK20V60W,LVQ引脚图与封装图

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