TK5Q60W,S1VQ

Toshiba(东芝) 分立器件

IPAK N-CH 600V 5.4A

N-Channel 600V 5.4A Ta 60W Tc Through Hole I-PAK

得捷:
MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK

贸泽:
MOSFET DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 380pF10.5nC

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin3+Tab IPAK Tube

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin3+Tab IPAK Tube

DeviceMart:
MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK

TK5Q60W,S1VQ中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 60 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 5.4A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 380pF @300VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.65 mm

宽度 2.3 mm

高度 6.1 mm

封装 TO-251-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

TK5Q60W,S1VQ引脚图与封装图

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