TK100S04N1L,LQ
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
TK100S04N1L,LQ中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 100W Tc
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 5490pF @10VVds
下降时间 19 ns
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
TK100S04N1L,LQ引脚图与封装图
暂无图片
在线购买TK100S04N1L,LQ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TK100S04N1L,LQ | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3Pin DPAK | 搜索库存 |