TPN4R303NL,L1Q

Toshiba(东芝) 分立器件

MOSFET U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8NC MOSFET

N-Channel 30V 40A Tc 700mW Ta, 34W Tc Surface Mount 8-TSON Advance 3.3x3.3

得捷:
MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON

贸泽:
MOSFET U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET

TPN4R303NL,L1Q中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 6.3 mΩ

耗散功率 34 W

阈值电压 2.3 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 4.5 ns

输入电容Ciss 1400pF @15VVds

下降时间 3.5 ns

耗散功率Max 700mW Ta, 34W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSON-Advance-8

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.85 mm

封装 TSON-Advance-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TPN4R303NL,L1Q引脚图与封装图

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