TK5P60W,RVQ

Toshiba(东芝) 分立器件

MOSFET DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 600V 380pF

N-Channel 600V 5.4A Ta 60W Tc Surface Mount DPAK

得捷:
MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

DeviceMart:
MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK

Win Source:
MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK

TK5P60W,RVQ中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 60 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 380pF @300VVds

额定功率Max 60 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

TK5P60W,RVQ引脚图与封装图

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TK5P60W,RVQ	Toshiba 东芝	MOSFET DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 600V 380pF	搜索库存