TK100A10N1,S4X

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 100V 207A 3Pin TO-220SIS

通孔 N 通道 100A（Tc） 45W（Tc） TO-220SIS

得捷:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220SIS

贸泽:
MOSFET MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine

安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 207A 3-Pin TO-220SIS

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine

TK100A10N1,S4X中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 3.1 mΩ

耗散功率 45 W

阈值电压 2V ~ 4V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 8800pF @50VVds

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TK100A10N1,S4X引脚图与封装图

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