TK42A12N1,S4X

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 120V 88A 3Pin TO-220SIS

通孔 N 通道 120 V 42A（Tc） 35W（Tc） TO-220SIS

得捷:
MOSFET N-CH 120V 42A TO220SIS

贸泽:
MOSFET MOSFET NCh7.8ohm VGS10V10uAVDS120V

安富利:
Trans MOSFET N-CH 120V 88A 3-Pin TO-220SIS

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 120V 88A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine

Win Source:
MOSFET N-CH 120V 42A TO-220

TK42A12N1,S4X中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 35 W

漏源极电压Vds 120 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 3100pF @60VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

TK42A12N1,S4X引脚图与封装图

TK42A12N1,S4X引脚图

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