TK65S04N1L,LQ
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
TK65S04N1L,LQ中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 3.3 mΩ
耗散功率 68 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 2550pF @10VVds
下降时间 17 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 107W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
TK65S04N1L,LQ引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TK65S04N1L,LQ | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET N-CH 40V 65A 3Pin DPAK | 搜索库存 |