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TK30A06N1,S4X

TK30A06N1,S4X

数据手册.pdf
Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3Pin TO-220SIS

通孔 N 通道 60 V 30A(Tc) 25W(Tc) TO-220SIS


得捷:
MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS


贸泽:
MOSFET MOSFET NCh11.5ohm VGS10V 10uA VDS60V


TK30A06N1,S4X中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 25 W

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 1050pF @30VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

TK30A06N1,S4X引脚图与封装图
TK30A06N1,S4X引脚图

TK30A06N1,S4X引脚图

TK30A06N1,S4X封装图

TK30A06N1,S4X封装图

TK30A06N1,S4X封装焊盘图

TK30A06N1,S4X封装焊盘图

在线购买TK30A06N1,S4X
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TK30A06N1,S4X Toshiba 东芝 Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3Pin TO-220SIS 搜索库存