TK100L60W,VQ

Toshiba(东芝) 分立器件

MOSFET DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

N-Channel 600V 100A Ta 797W Tc Through Hole TO-3PL

得捷:
MOSFET N-CH 600V 100A TO3P

贸泽:
MOSFET DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

TK100L60W,VQ中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 797 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 130 ns

输入电容Ciss 15000pF @30VVds

下降时间 125 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 797W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 20 mm

宽度 5 mm

高度 26 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

TK100L60W,VQ引脚图与封装图

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TK100L60W,VQ	Toshiba 东芝	MOSFET DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF	搜索库存