TK39N60W,S1VF

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3Pin3+Tab TO-247 Tube

N-Channel 600V 38.8A Ta 270W Tc Through Hole TO-247

得捷:
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

TK39N60W,S1VF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 270 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 4100pF @300VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 270W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

TK39N60W,S1VF引脚图与封装图

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TK39N60W,S1VF	Toshiba 东芝	Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3Pin3+Tab TO-247 Tube	搜索库存