TK6Q65W,S1Q

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 650V 5.8A 3Pin IPAK

N-Channel 650V 5.8A Ta 60W Tc Through Hole I-PAK

得捷:
MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK

贸泽:
MOSFET Power MOSFET N-Channel

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin3+Tab IPAK Magazine

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin3+Tab IPAK Magazine

TK6Q65W,S1Q中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 890 mΩ

耗散功率 60 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 390pF @300VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.65 mm

宽度 2.3 mm

高度 6.1 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

TK6Q65W,S1Q引脚图与封装图

TK6Q65W,S1Q引脚图

TK6Q65W,S1Q封装图

TK6Q65W,S1Q封装焊盘图

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