TK14E65W,S1X
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
耗散功率 130 W
漏源极电压Vds 650 V
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 1300pF @300VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 130W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TK14E65W,S1X | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3Pin3+Tab TO-220 Tube | 搜索库存 |