TK8Q65W,S1Q

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 650V 7.8A 3Pin IPAK

通孔 N 通道 650 V 7.8A（Ta） 80W（Tc） I-Pak

得捷:
MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK

贸泽:
MOSFET Power MOSFET N-Channel

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin3+Tab IPAK Tube

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin3+Tab IPAK Tube

TK8Q65W,S1Q中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 80 W

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 570pF @300VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 80W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.65 mm

宽度 2.3 mm

高度 6.1 mm

封装 TO-251-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

TK8Q65W,S1Q引脚图与封装图

TK8Q65W,S1Q引脚图

TK8Q65W,S1Q封装图

TK8Q65W,S1Q封装焊盘图

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TK8Q65W,S1Q	Toshiba 东芝	Trans MOSFET N-CH 650V 7.8A 3Pin IPAK	搜索库存