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TK20A60W,S5VX

TK20A60W,S5VX

数据手册.pdf
Toshiba(东芝) 分立器件

MOSFET N-Ch DTMOSIV 600V 165W 1680pF 20A

N-Channel 600V 20A Ta 45W Tc Through Hole TO-220SIS


得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS


贸泽:
MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin TO-220SIS


TK20A60W,S5VX中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 130 mΩ

耗散功率 45 W

阈值电压 3.7 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 1680pF @300VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TK20A60W,S5VX引脚图与封装图
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在线购买TK20A60W,S5VX
型号 制造商 描述 购买
TK20A60W,S5VX Toshiba 东芝 MOSFET N-Ch DTMOSIV 600V 165W 1680pF 20A 搜索库存
替代型号TK20A60W,S5VX
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TK20A60W,S5VX

品牌: Toshiba 东芝

封装: TO-220SIS

当前型号

MOSFET N-Ch DTMOSIV 600V 165W 1680pF 20A

当前型号

型号: TK25A60X,S5X

品牌: 东芝

封装:

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