TK34E10N1,S1X
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 9.5 mΩ
耗散功率 103 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 2600pF @50VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 103W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
高度 15.1 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TK34E10N1,S1X引脚图
TK34E10N1,S1X封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TK34E10N1,S1X | Toshiba 东芝 | MOSFET N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS | 搜索库存 |