TK28N65W,S1F

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 650V 27.6A 3Pin TO-247

N-Channel 650V 27.6A Ta 230W Tc Through Hole TO-247

得捷:
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 27.6A 3-Pin TO-247

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

TK28N65W,S1F中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 230 W

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 3000pF @300VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TK28N65W,S1F引脚图与封装图

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