TK9J90E,S1E

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3Pin TO-3PN

通孔 N 通道 9A（Ta） 250W（Tc） TO-3P（N）

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MOSFET N-CH 900V 9A TO3P

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TK9J90E,S1E

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MOSFET PLN MOS 900V 1300m VGS=10V TO-3PN

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Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin3+Tab TO-3PN

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Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin3+Tab TO-3PN

TK9J90E,S1E中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 250 W

漏源极电压Vds 900 V

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 2000pF @25VVds

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.5 mm

宽度 4.5 mm

高度 20 mm

封装 TO-3-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

TK9J90E,S1E引脚图与封装图

TK9J90E,S1E引脚图

TK9J90E,S1E封装图

TK9J90E,S1E封装焊盘图

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