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TK30E06N1,S1X

TK30E06N1,S1X

数据手册.pdf
Toshiba(东芝) 分立器件

Mosfet n-Ch 60V 43A To-220

通孔 N 通道 60 V 43A(Ta) 53W(Tc) TO-220


得捷:
MOSFET N-CH 60V 43A TO220


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 43A TO-220


TK30E06N1,S1X中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 53 W

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 1050pF @30VVds

额定功率Max 53 W

耗散功率Max 53W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TK30E06N1,S1X引脚图与封装图
TK30E06N1,S1X引脚图

TK30E06N1,S1X引脚图

TK30E06N1,S1X封装图

TK30E06N1,S1X封装图

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