TK8P60W,RVQ

Toshiba(东芝) 分立器件

MOSFET N CH 600V 8A DPAK

N-Channel 600V 8A Ta 80W Tc Surface Mount DPAK

得捷:
MOSFET N CH 600V 8A DPAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 80W; DPAK

DeviceMart:
MOSFET N CH 600V 8A DPAK

TK8P60W,RVQ中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 80W Tc

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 570pF @300VVds

下降时间 5.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 80W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

TK8P60W,RVQ引脚图与封装图

TK8P60W,RVQ引脚图

TK8P60W,RVQ封装图

TK8P60W,RVQ封装焊盘图

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