TK10E60W,S1VX
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 700pF @300VVds
额定功率Max 100 W
下降时间 5.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
高度 15.1 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TK10E60W,S1VX | Toshiba 东芝 | MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20NC | 搜索库存 |