TPN2R203NC,L1Q

Toshiba(东芝) 分立器件

8-TSON高级

N-Channel 30V 45A Tc 700mW Ta, 42W Tc Surface Mount 8-TSON Advance 3.3x3.3

得捷:
MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON

贸泽:
MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

TPN2R203NC,L1Q中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 1.8 mΩ

耗散功率 42 W

阈值电压 1.3V ~ 2.3V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

输入电容Ciss 2230pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 700mW Ta, 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSON-Advance-8

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.85 mm

封装 TSON-Advance-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TPN2R203NC,L1Q引脚图与封装图

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