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TPH1R712MD,L1Q

TPH1R712MD,L1Q

数据手册.pdf
Toshiba(东芝) 分立器件

8-SOP 高级

表面贴装型 P 通道 60A(Tc) 78W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)


得捷:
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP


立创商城:
P沟道 20V 60A


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin SOP


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV


TPH1R712MD,L1Q中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 2.8 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 60A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 10900pF @10VVds

下降时间 512 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 78W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TPH1R712MD,L1Q引脚图与封装图
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