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TC6320TG-G

TC6320TG-G

数据手册.pdf
Microchip(微芯) 分立器件

MICROCHIP  TC6320TG-G  场效应管, MOSFET, N沟道与P沟道, 200V, NSOIC-8 新

Mosfet Array N and P-Channel 200V Surface Mount 8-SOIC


得捷:
MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC


立创商城:
1个N沟道和1个P沟道 200V 2A


贸泽:
MOSFET 200V 8.0/7.0Ohm


e络盟:
MICROCHIP  TC6320TG-G  场效应管, MOSFET, N沟道与P沟道, 200V, NSOIC-8 新


艾睿:
This TC6320TG-G power MOSFET from Microchip Technology can be used for amplification in your circuit. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N|P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
MOSFET, N AND P CHANNEL, 200V8 SOIC 3.90mm.150in T/R


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 200V 8-Pin SOIC N


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# MICROCHIP  TC6320TG-G  Dual MOSFET, N and P Channel, 200 V, 7 ohm, 10 V, 2 V New


TC6320TG-G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 7 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 200 V

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 110pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.65 mm

封装 SOIC-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

TC6320TG-G引脚图与封装图
TC6320TG-G引脚图

TC6320TG-G引脚图

TC6320TG-G封装图

TC6320TG-G封装图

TC6320TG-G封装焊盘图

TC6320TG-G封装焊盘图

在线购买TC6320TG-G
型号 制造商 描述 购买
TC6320TG-G Microchip 微芯 MICROCHIP  TC6320TG-G  场效应管, MOSFET, N沟道与P沟道, 200V, NSOIC-8 新 搜索库存
替代型号TC6320TG-G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TC6320TG-G

品牌: Microchip 微芯

封装: NSOIC N-Channel 200V

当前型号

MICROCHIP  TC6320TG-G  场效应管, MOSFET, N沟道与P沟道, 200V, NSOIC-8 新

当前型号

型号: TC6320TG

品牌: 超科

封装: SOIC N-Channel 7Ω

功能相似

Trans MOSFET N/P-CH 200V 8Pin SOIC N

TC6320TG-G和TC6320TG的区别