
额定功率 0.36 W
针脚数 3
漏源极电阻 15 Ω
极性 N-CH
耗散功率 360 mW
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 240 V
连续漏极电流Ids 0.134A
上升时间 2 ns
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 360 mW
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360mW Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.95 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free

TN2124K1-G引脚图

TN2124K1-G封装图

TN2124K1-G封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
TN2124K1-G | Microchip 微芯 | 晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 134 mA, 240 V, 15 ohm, 4.5 V, 2 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: TN2124K1-G 品牌: Microchip 微芯 封装: TO-236-3 N-CH 240V 0.134A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 134 mA, 240 V, 15 ohm, 4.5 V, 2 V | 当前型号 | |
型号: 2N7002ET1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23-3 N-Channel 60V 310mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V | TN2124K1-G和2N7002ET1G的区别 | |
型号: DMG6968U-7 品牌: 美台 封装: SOT23-3 N-Channel 20V 6.5A | 功能相似 | DMG6968 系列 20 V 25 mOhm N 沟道 增强模式 晶体管 SOT-23-3 | TN2124K1-G和DMG6968U-7的区别 | |
型号: MMBF170-7-F 品牌: 美台 封装: TO-236-3 N-Channel 60V 500mA 5.3Ω 40pF | 功能相似 | MMBF170-7-F 编带 | TN2124K1-G和MMBF170-7-F的区别 |