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TC6320K6-G

TC6320K6-G

数据手册.pdf
Microchip(微芯) 分立器件

SOIC N+P 200V

As an alternative to traditional transistors, the power MOSFET from Technology can be used to both amplify and switch electronic signals. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This N|P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

TC6320K6-G中文资料参数规格
技术参数

极性 N+P

漏源极电压Vds 200 V

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 110pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VDFN-8

外形尺寸

封装 VDFN-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TC6320K6-G引脚图与封装图
TC6320K6-G引脚图

TC6320K6-G引脚图

TC6320K6-G封装图

TC6320K6-G封装图

TC6320K6-G封装焊盘图

TC6320K6-G封装焊盘图

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