TN0610N3-G
数据手册.pdfMicrochip(微芯)
分立器件
TN0610N3-G中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1 W
极性 N-CH
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 0.5A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 150 pF
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
封装 TO-92-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
TN0610N3-G引脚图与封装图 
TN0610N3-G引脚图
TN0610N3-G封装图
TN0610N3-G封装焊盘图
在线购买TN0610N3-G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TN0610N3-G | Microchip 微芯 | TO-92 N-CH 100V 0.5A | 搜索库存 |
替代型号TN0610N3-G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TN0610N3-G 品牌： Microchip 微芯 封装： TO-92 N-CH 100V 0.5A | 当前型号 | TO-92 N-CH 100V 0.5A | 当前型号 |
| 型号： TN0610N3-G-P013 品牌： 微芯 封装： TO-92-3 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 100V 0.5A 3Pin TO-92 T/R | TN0610N3-G和TN0610N3-G-P013的区别 |
| 型号： TN0610N3-G-P003 品牌： 微芯 封装： TO-92-3 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 100V 0.5A 3Pin TO-92 T/R | TN0610N3-G和TN0610N3-G-P003的区别 |
| 型号： 2N6660 品牌： 微芯 封装： TO-205AD | 功能相似 | 晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V | TN0610N3-G和2N6660的区别 |