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TN0702N3-G

TN0702N3-G

数据手册.pdf
Microchip(微芯) 分立器件

TN0702N3-G 袋装

Make an effective common source amplifier using this power MOSFET from Technology. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

TN0702N3-G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1 W

针脚数 3

漏源极电阻 1 Ω

极性 N-CH

耗散功率 1 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 0.53A

输入电容Ciss 200 pF

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TN0702N3-G引脚图与封装图
TN0702N3-G引脚图

TN0702N3-G引脚图

TN0702N3-G封装图

TN0702N3-G封装图

TN0702N3-G封装焊盘图

TN0702N3-G封装焊盘图

在线购买TN0702N3-G
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TN0702N3-G Microchip 微芯 TN0702N3-G 袋装 搜索库存
替代型号TN0702N3-G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TN0702N3-G

品牌: Microchip 微芯

封装: TO-92-3 N-CH 20V 0.53A

当前型号

TN0702N3-G 袋装

当前型号

型号: DMG6968U-7

品牌: 美台

封装: SOT23-3 N-Channel 20V 6.5A

功能相似

DMG6968 系列 20 V 25 mOhm N 沟道 增强模式 晶体管 SOT-23-3

TN0702N3-G和DMG6968U-7的区别

型号: 2N6660

品牌: 微芯

封装: TO-205AD

功能相似

晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V

TN0702N3-G和2N6660的区别

型号: ZVP2106A

品牌: 美台

封装: TO-92-3 P-Channel 60V 320mA 5Ω 100pF

功能相似

DIODES INC.  ZVP2106A  晶体管, MOSFET, P沟道, -280 mA, -60 V, 4 ohm, -10 V, -3.5 V

TN0702N3-G和ZVP2106A的区别