TP2502N8-G
数据手册.pdfMicrochip(微芯)
分立器件
TP2502N8-G中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1.6 W
极性 P-CH
耗散功率 1.6 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.63A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 125pF @20VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89
外形尺寸
封装 SOT-89
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
TP2502N8-G引脚图与封装图 
TP2502N8-G引脚图
TP2502N8-G封装图
TP2502N8-G封装焊盘图
在线购买TP2502N8-G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TP2502N8-G | Microchip 微芯 | SOT-89P-CH 20V 0.63A | 搜索库存 |
替代型号TP2502N8-G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TP2502N8-G 品牌： Microchip 微芯 封装： SOT-89 P-CH 20V 0.63A | 当前型号 | SOT-89P-CH 20V 0.63A | 当前型号 |
| 型号： TP2502N8 品牌： 超科 封装： SOT-89 | 功能相似 | Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 4Pin3+Tab SOT-89 | TP2502N8-G和TP2502N8的区别 |