TP2104K1-G
数据手册.pdfMicrochip(微芯)
分立器件
TP2104K1-G中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.36 W
针脚数 3
漏源极电阻 6 Ω
极性 P-CH
耗散功率 360 mW
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 0.16A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 60pF @25VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.95 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
TP2104K1-G引脚图与封装图 
TP2104K1-G引脚图
TP2104K1-G封装图
TP2104K1-G封装焊盘图
在线购买TP2104K1-G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TP2104K1-G | Microchip 微芯 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -160 mA, -40 V, 6 ohm, -10 V, -2 V | 搜索库存 |
替代型号TP2104K1-G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TP2104K1-G 品牌： Microchip 微芯 封装： SOT-23 P-CH 40V 0.16A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -160 mA, -40 V, 6 ohm, -10 V, -2 V | 当前型号 |
| 型号： BSS123LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 100V 170mA 6ohms 20pF | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | TP2104K1-G和BSS123LT1G的区别 |
| 型号： BSS123-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23 N-Channel 100V 170mA 10Ω | 功能相似 | 三极管 | TP2104K1-G和BSS123-7-F的区别 |
| 型号： 2N7002-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23 N-Channel 60V 115mA 4.4Ω | 功能相似 | 2N7002-7-F 编带 | TP2104K1-G和2N7002-7-F的区别 |