TP2520N8-G
数据手册.pdfMicrochip(微芯)
分立器件
TP2520N8-G中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1.6 W
极性 P-CH
耗散功率 1.6 W
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 0.26A
输入电容Ciss 125pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89
外形尺寸
封装 SOT-89
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TP2520N8-G引脚图与封装图 
TP2520N8-G引脚图
TP2520N8-G封装图
TP2520N8-G封装焊盘图
在线购买TP2520N8-G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TP2520N8-G | Microchip 微芯 | SOT-89P-CH 200V 0.26A | 搜索库存 |
替代型号TP2520N8-G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TP2520N8-G 品牌： Microchip 微芯 封装： SOT-89 P-CH 200V 0.26A | 当前型号 | SOT-89P-CH 200V 0.26A | 当前型号 |
| 型号： TN2510N8-G 品牌： 超科 封装： SOT-89 N-Channel 730mA 1.5Ω | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 100V 0.73A 4Pin3+Tab SOT-89 | TP2520N8-G和TN2510N8-G的区别 |
| 型号： TP2510N8-G 品牌： 超科 封装： SOT-89 P-Channel 3.5Ω | 功能相似 | Trans MOSFET P-CH 100V 0.48A 4Pin3+Tab SOT-89 | TP2520N8-G和TP2510N8-G的区别 |