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TN0106N3-G

TN0106N3-G

数据手册.pdf
Microchip(微芯) 分立器件

TN0106N3-G 袋装

N-Channel 60V 350mA Tj 1W Tc Through Hole TO-92-3


得捷:
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3


欧时:
MOSFET, N-CHANNEL ENCHANCEMENT-MODE, 60V


立创商城:
N沟道 60V 350mA


贸泽:
MOSFET 60V 3Ohm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag


Allied Electronics:
MOSFET, N-CHANNEL ENCHANCEMENT-MODE, 60V, 3.0 Ohm3 TO-92 BAG


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; 1W; TO92


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag


TN0106N3-G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1 W

极性 N-CH

耗散功率 1 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 0.35A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 60pF @25VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.21 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TN0106N3-G引脚图与封装图
TN0106N3-G引脚图

TN0106N3-G引脚图

TN0106N3-G封装图

TN0106N3-G封装图

TN0106N3-G封装焊盘图

TN0106N3-G封装焊盘图

在线购买TN0106N3-G
型号 制造商 描述 购买
TN0106N3-G Microchip 微芯 TN0106N3-G 袋装 搜索库存
替代型号TN0106N3-G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： TN0106N3-G

品牌： Microchip 微芯

封装： TO-92-3 N-CH 60V 0.35A

当前型号

TN0106N3-G 袋装

当前型号

型号： TN0106N3-G-P013

品牌： 微芯

封装： TO-92-3

完全替代

Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3Pin TO-92 T/R

TN0106N3-G和TN0106N3-G-P013的区别

型号： TN0106N3-G-P003

品牌： 微芯

封装： TO-92

类似代替

Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3Pin TO-92 T/R

TN0106N3-G和TN0106N3-G-P003的区别