TLV5623IDRG4
TI
德州仪器
主动器件
TLV5623IDRG4中文资料参数规格
技术参数
供电电流 900 µA
位数 8
采样率 102 ksps
功耗 2.10 mW
过温保护 No
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TLV5623IDRG4引脚图与封装图 
TLV5623IDRG4引脚图
TLV5623IDRG4封装图
TLV5623IDRG4封装焊盘图
在线购买TLV5623IDRG4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TLV5623IDRG4 | TI 德州仪器 | 8Bit, 3us DAC, Serial Input, Pgrmable Settling Time/ Power Consumption, Ultra Low Power 8-SOIC -40℃ to 85℃ | 搜索库存 |
替代型号TLV5623IDRG4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TLV5623IDRG4 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC 8Bit 8Pin | 当前型号 | 8Bit, 3us DAC, Serial Input, Pgrmable Settling Time/ Power Consumption, Ultra Low Power 8-SOIC -40℃ to 85℃ | 当前型号 |
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