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TSX712IDT

TSX711、TSX712、精密、轨对轨输入/输出、16 V CMOS 运算放大器低输入偏置电压:最大 200 μV 低电流消耗:最大 800 μA 益带宽产品:2.7 MHz 电源操作范围 2.7 V 至 16 V ESD 高容差:4 kV HBM 扩展温度范围:-40°C 至 +125°C 汽车资格 ### 运算放大器,STMicroelectronics

TSX711、TSX712、精密、轨对轨输入/输出、16 V CMOS

低输入偏置电压:最大 200 μV

低电流消耗:最大 800 μA

益带宽产品:2.7 MHz

电源操作范围 2.7 V 至 16 V

ESD 高容差:4 kV HBM

扩展温度范围:-40°C 至 +125°C

汽车资格


欧时:
STMicroelectronics 运算放大器 TSX712IDT 双 精确, 2.7MHz增益带宽积, 8引脚 SOIC封装


得捷:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC


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TSX712IDT


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STMICROELECTRONICS  TSX712IDT  Operational Amplifier, Rail to Rail, 2.7 MHz, 2 Amplifier, 1.4 V/µs, 2.7V to 16V, SOIC, 8 Pins


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Op Amp Dual Precision Amplifier R-R I/O 16V 8-Pin SO N T/R


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Operational Amplifiers Op Amps


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# STMICROELECTRONICS  TSX712IDT  Operational Amplifier, Rail to Rail, 2 Amplifier, 2.7 MHz, 1.4 V/µs, 2.7V to 16V, SOIC, 8 Pins


TSX712IDT中文资料参数规格
技术参数

输出电流 68mA @16V

供电电流 900 µA

电路数 2

针脚数 8

共模抑制比 94 dB

带宽 2.7 MHz

转换速率 1.40 V/μs

增益频宽积 2.7 MHz

输入补偿电压 200 µV

输入偏置电流 50 pA

输入电压Max 16 V

输入电压Min 2.7 V

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

共模抑制比Min 94 dB

电源电压 2.7V ~ 16V

输入电压 2.7V ~ 16V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

TSX712IDT引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
TSX712IDT ST Microelectronics 意法半导体 TSX711、TSX712、精密、轨对轨输入/输出、16 V CMOS 运算放大器 低输入偏置电压:最大 200 μV 低电流消耗:最大 800 μA 益带宽产品:2.7 MHz 电源操作范围 2.7 V 至 16 V ESD 高容差:4 kV HBM 扩展温度范围:-40°C 至 +125°C 汽车资格 ### 运算放大器,STMicroelectronics 搜索库存