TLV5580IDW
TI(德州仪器)
主动器件
电路数 1
位数 8
耗散功率 213 mW
采样率 80 Msps
模数转换数ADC 1
输入数 1
耗散功率Max 270 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 28
封装 SOIC-28
封装 SOIC-28
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TLV5580IDW引脚图
TLV5580IDW封装图
TLV5580IDW封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TLV5580IDW | TI 德州仪器 | 8Bit, 80MSPS ADC Single Ch., High Ch. Bandwidth, Low Power 28-SOIC -40℃ to 85℃ | 搜索库存 |