TK56E12N1,S1XS

Toshiba 东芝分立器件

N 通道 MOSFET，TKxxxx，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba

MOSFET,N-channel,120V,112A,TO220

欧时:
Toshiba U-MOSVIII-H 系列 Si N沟道 MOSFET TK56E12N1,S1XS, 112 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine

安富利:
Trans MOSFET N-CH 120V 112A 3-Pin TO-220

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 168W; TO220AB

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine

TK56E12N1,S1XS中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 168 W

漏源极电压Vds 120 V

连续漏极电流Ids 112A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 4200pF @60VVds

下降时间 23 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 168 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.45 mm

高度 15.1 mm

封装 TO-220

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

TK56E12N1,S1XS引脚图与封装图

TK56E12N1,S1XS引脚图

TK56E12N1,S1XS封装图

TK56E12N1,S1XS封装焊盘图

在线购买TK56E12N1,S1XS

型号	制造商	描述	购买
TK56E12N1,S1XS	Toshiba 东芝	N 通道 MOSFET，TKxxxx，Toshiba ### MOSFET 晶体管，Toshiba	搜索库存