TPC8221-H,LQS

Toshiba 东芝分立器件

SOP N-CH 30V 6A

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP

Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP

TPC8221-H,LQS中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6A

输入电容Ciss 830pF @10VVds

额定功率Max 450 mW

耗散功率Max 450 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TPC8221-H,LQS引脚图与封装图

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