TT8K1TR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
TT8K1TR中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
耗散功率 1.25 W
阈值电压 300 mV, 300 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 ±20 V
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 260pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSST-8
外形尺寸
封装 TSST-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TT8K1TR引脚图与封装图 
TT8K1TR引脚图
TT8K1TR封装图
TT8K1TR封装焊盘图