TT8J21TR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
TT8J21TR中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 2.5A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 1270pF @10VVds
额定功率Max 650 mW
下降时间 85 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SMD-8
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.8 mm
封装 SMD-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TT8J21TR引脚图与封装图 
TT8J21TR引脚图
TT8J21TR封装图
TT8J21TR封装焊盘图