TP0202K-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 2.1 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 350 mW
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids -385 mA
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
TP0202K-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TP0202K-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | P通道30 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 30-V D-S MOSFET | 搜索库存 |