TPCC8002-HTE12LQM
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Toshiba
东芝
分立器件
TPCC8002-HTE12LQM中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 700mW Ta, 30W Tc
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 2500pF @10VVds
额定功率Max 30 W
耗散功率Max 700mW Ta, 30W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 VDFN-8
外形尺寸
封装 VDFN-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TPCC8002-HTE12LQM引脚图与封装图
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在线购买TPCC8002-HTE12LQM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TPCC8002-HTE12LQM | Toshiba 东芝 | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | 搜索库存 |
替代型号TPCC8002-HTE12LQM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TPCC8002-HTE12LQM 品牌： Toshiba 东芝 封装： 8-VDFN | 当前型号 | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | 当前型号 |
| 型号： TPN8R903NL,LQ 品牌： 东芝 封装： TSON | 功能相似 | 8-TSON高级 | TPCC8002-HTE12LQM和TPN8R903NL,LQ的区别 |