TPC8032-HTE12LQM
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
通道数 1
耗散功率 -
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
输入电容Ciss 2846pF @10VVds
安装方式 Surface Mount
封装 SOP-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.68 mm
封装 SOP-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TPC8032-HTE12LQM | Toshiba 东芝 | MOSFET MOSFET N-Ch 30V 15A | 搜索库存 |