TCDT1103G
数据手册.pdfVishay Semiconductor(威世)
电子元器件分类
上升/下降时间 7µs, 6.7µs
通道数 1
正向电压 1.25 V
耗散功率 250 mW
隔离电压 5000 Vrms
正向电流 60 mA
输出电压Max 32 V
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 DIP-6
长度 8.8 mm
宽度 6.4 mm
高度 4.2 mm
封装 DIP-6
工作温度 -55℃ ~ 110℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free